Светодиоды ал характеристики: Характеристики светодиодов SMD 3528 5050 5630 5730 3014 2835

Los primeros ledes fueron fabricados como components electrónicos para su uso practico en 1962 y emitían luz infrarroja de baja tensidad. Estos ledes infrarrojos se siguen empleando como elementos transmisores en circuitos de control remoto, como son los mandos a distancia utilizados dentro de una ampia variedad de productos de electrónica de consumo. Los Primeros ledes de luz visible, también eran de baja Интенсидад и se limitaban al espectro rojo. Los ledes modernos pueden abarcar longifts de onda dentro de los espectros visible, ultravioleta e infrarrojo, y alcanzar luminosidades muy elevadas.

Los Primeros ledes se emplearon en los equipos electrónicos como lámparas indicadoras en sustitución de las bombillas incandescentes. Pronto se asociaron para las presentaciones numéricas en forma de indicadores alfanuméricos de siete segmentos, al mismo tiempo que se inclraron en los relojes digitales. Los recientes desarrollos ya alloweden emplear los ledes para la iluminación ambiental en sus diferentes aplicaciones. Los ledes han permissionido el desarrollo de nuevas pantallas de visualización y sensores, y sus altas velocidades de conmutación permissionen utilizarlos también para tecnologías avanzadas de comunicaciones.

Hoy en día, los ledes ofrecen muchas ventajas sobre las fuentes convcionales de luces incandescentes o fluorescentes, destacando un menor consumo de energía, una vida útil más larga, una robustez físíd comá la mejoraoda, una robustez físíd comá la mejorada muy diversos colores del espectro visible de manera mucho más Definida y controlada; en el caso de ledes multicolores, con una frecuencia de conmutación rápida.

Estos diodos se utilizan ahora en aplicaciones tan variaadas que abarcan todas las áreas tecnológicas actuales, desde la Bioingeniería, la Medicina y la Sanidad, ^[8] pasando por la nanotecnología 902 y la computacntica «Лос-Диспозитивос Электроникос» или «Иллюминация ан ла инженерия де Минас»; entre los más populares están la retroiluminación de pantallas de tv y ordenador, así como de dispositivos móviles ^{[10] [11]} la luz de navegación de los aviones, los faros delanteros de los vehuncículosari public, la iluminación en general, los semáforos, las lámparas de destellos y los papeles luminosos de pared. После сезона 2017 года, las lámparas led para la iluminación de las viviendas son tan baratas o más que las lámparas fluorescentes compacta de comportamiento, аналогичном аль-де-лос-ледес. ^[12] También son más eficientes energéticamente y, posiblemente, su excluación como desecho provoque menos issuesas ambientales. ^{[13] [14]}

Descubrimiento y primeros dispositivos [editar]

«Феномен электролюминесценции» в 1907 г. для британских экспериментаторов Генри Джозефа Раунда, лаборатории Маркони, кристалл карбюро-кремния и детектор фанатиков. ^{[15] [16]} Советский изобретатель Олега Лосева, информация о конструкции, проведенная с 1927 года. décadas más tarde. Курт Леховец, Карл Аккардо и Эдвард Джамгочиан интерпретируют эль mecanismo de estos primeros diodos led в 1951 году, используя aparato que empleaba cristales de carburo de silicio, con un generador de impulsos y con una fuente de alimentación de corriente cona, y enian 1953 pura del cristal.

Рубин Браунштейн, RCA, информация в 1955 году о внутреннем излучении арсениуро-де-галио (GaAs) и других полупроводниковых элементах. Braunstein observó que esta emisión se generaba en diodos construidos a partir de aleaciones de antimoniuro de galio (GaSb), arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de indio (InP) и silicio-germanio (SiGe), a temperatura kelvinte y temperatura kelvinte y.

En 1957, Braunstein también demostró que estos dispositivos rudimentarios podían utilizarse para establecer una comunicación no radiofónica a corta distancia. Como señala Kroemer, Braunstein estableció una línea de comunicaciones ópticas muy simple: ^[17] tomó la música procdente de un tocadiscos y la processó mediante la adecuada electrónica para modular la corriente direct dsenioduroc de porio de porio. La luz emitida por el diodo de GaAS fue capaz de sensibilizar un diodo de PbS Sulfuro de Plomo situado a una cierta distancia.La señal así generada por el diodo de PbS fue introducida en un ampificador de audio y se trasmitió por un altavoz. Cuando se interceptaba el rayo luminoso entre los dos ledes, cesaba la música. Este montaje ya presagiaba el empleo de los ledes para las comunicaciones ópticas.

En septiembre de 1961, James R. Biard y Gary Pittman, que trabajaban en Texas Instruments (TI) de Dallas (Texas), descubrieron una radiación infrarroja (de 900 nm) proceduredente de un diodo túnel que habían construido empleando un surorato de arr. де Галио (GaAs). ^[18] В октябре 1961 года демонстрировал экзистенциальные эмиссии эффективных электронных средств и акопламенто-де-лас-энтре-ла-ун-п-н-де-арсениуро-де-галио-эмиссионный луз и фотодетектор, служащий для полупроводникового электрического материала и конструктивного проводника. ^[19] Con base en sus descubrimientos, el 8 de agosto de 1962 Biard y Pittman produjeron una patnte de título «Semiconductor Radiant Diode» (Diodo radiante semiconductor) durante el crecimiento del cristal que forma el sustrato de una unión pn led con un contacto del cátodo lo suficientemente separado, Разрешение на эмиссию де luz infrarroja de manera eficiente en polarización directa.

A la vista de la importancia de susvestigaciones, tal como figuraban en sus cuadernos de notas de ingeniería y antes incluso de comunicar sus resultados procdentes de los Laboratorios de General Electric, Radio Corporation of America, IBM, Laboratorios Bell o las del Laboratorio Lincoln del Instituto Tecnológico de Massachusetts, la Oficina de Patentes y Marcas de Estados Unidos les concedió una patente por la invención de los diodos emisores de luz infrarroja de arseniuro de galio (патент US3293513A de los EE. UU.), ^[21] que son considerados como los primeros ledes de uso practico. Inmediatamente después de la presentación de la Patente, la TI inició un proyecto para la fabricación de los diodos infrarrojos. В октябре 1962 года компания Texas Instruments использовала коммерческий образец для начинающих (SNX-100), который был использован в кристалле чистого арсениуро-де-галио для излучения с длиной волны 890 нм. В октябре 1963 года, TI sacó al mercado el primer led semiesférico comercial, el SNX-110. ^[22]

El primer led con emisión en el espectro visible (rojo) fue desarrollado en 1962 por Nick Holonyak.Jr cuando trabajaba en la General Electric. Holonyak Presentó un informe en la revista Applied Physics Letters от 1 декабря 1962 года. ^[23] En 1972 M. George Craford, ^[24] un estudiante de grado de Holonyak, изобретение el primer led amarillo y mejoró la luminosidad de los ledes rojo y rojo-naranja en un factor de diez. В 1976 году Т. П. Пирсалл построил пример использования высоких брильо и высшую эффективную связь для телекоммуникационных и оптических волокон. Para ello descubrió nuevos materiales semiconductores expresamente adapados a las longitude de onda propias de la citada transmisión por fibras ópticas. ^[25]

Начальный рекламный ролик Desarrollo [редактор]

Los Primeros ledes comerciales fueron generalmente usados ​​para sustituir a las lámparas incandescentes y las lámparas indicadoras de neón así como en los visualizadores de siete segmentos. ^[26] Primero en equipos costosos tales como equipos electrónicos y de ensayo de labratorio, y más tarde en otros dispositivos eléctricos como televisores, radio, teléfonos, calcadoras, así como relojes de pulsera.Hasta 1968, los ledes visibles e infrarrojos eran extremadamente costosos, del orden de 200 dólares por unidad, por lo que tuvieron poca utilidad práctica. ^[27] La empresa Monsanto Company fue la primera que produjo de manera masiva ledes visibles, используя fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) в 1968 году для производства rojos destinados a los indicadores. ^[27]

Компания Hewlett-Packard (HP) представила документы 1968 года, начальные с использованием GaAsP suministrado por Monsanto.Estos ledes rojos eran lo suficientemente brillantes como para ser utilizados como indicadores, puesto que la luz emitida no era suficiente para iluminar una zona. Las lecturas en las calcadoras eran tan débiles que sobre cada dígito se depositaron lentes de plástico para que resultaran читабельно. Más tarde, aparecieron otros colores que se usaron ampiamente en aparatos y equipos. En la década de los 70 Fairchild Optoelectrónics Fabricó с несколькими коммерческими предприятиями возглавил группу cinco centavos cada uno.Эти микросхемы используются в полупроводниковых компонентах и ​​изготовлены в среднем из плоских процедур, изобретенных Жаном Орни де Fairchild Semiconductor. ^{[28] [29]} Планарный процесс для изготовления чипов, комбинируемый с инновационными методами инкапсуляции, позволяющими использовать оборудование для управления питанием, оптоэлектронным оборудованием, Томас Брандт, логарифмический процесс сокращения затрат на обеспечение справедливости. ^[30] Estos métodos siguen siendo utilizados por los fabricantes de los ledes. ^[31]

La mayoría de los ledes se fabricaron en los encapsulamientos típicos T1¾ de 5 mm y T1 de 3 mm, pero con el aumento de la Potencia de Salida, se ha vuelto cada vez más necesario el exceso de calor para mantener la fiabilidad. ^[32] Por tanto ha sido necesario discapsulamientos más complejos ideados para conguir una eficiente disipación de calor.Los encapsulamientos empleados actualmente para los ledes de alta Potencia tienen poca semejanza con los de los primeros ledes.

Led azul [редактор]

Los ledes azules fueron desarrollados por primera vez por Henry Paul Maruska de RCA в 1972 году с использованием нитруро-де-Галио (GaN) sobre un substrato de zafiro. ^{[33] [34]} Se empezaron a comercializar los de tipo SiC (fabricados con carburo de silicio) por la casa Cree, Inc. , Estados Unidos en 1989. ^[35] Sin embargo, ninguno de estos ledes azules era muy brillante.

El primer led azul de alto brillo fue presentado для Shuji Nakamura de la Nichia Corp. en 1994 partiendo del material Nitruro de Galio-Indio (InGaN). ^{[36] [37]} Исаму Акасаки и Хироши Амано в Нагоя трабажабан в паралеле, в кристаллическом ядре Нитруро де Галио, собре субстратос де зафиро, получая доступ к дополнительным типам материала кондиции. Como concuencia de susvestigaciones, Nakamura, Akasaki y Amano fueron galardonados con el Premio Nobel de Física. ^{[38] [39]} В 1995 году, Альберто Барбьери дель лаборатории Университета Кардиффа (RU), исследуйте эффективность и соответствие брильянда-лос-ледесам-брильо и комо, проводя исследование, проводимое с электродом. de contacto transparent utilizando óxido de indio y estaño (ITO) sobre fosfuro de aluminio-galio-indio y arseniuro de galio.

En 2001 ^[40] y 2002 ^[41] se llevaron a cabocesses para hacer crecer ledes de nitruro de galio en silicio. Como conscuencia de estasvestigaciones, en enero de 2012 Osram lanzó al mercado ledes de alta Potencia de nitruro de galio-indio crecidos sobre sustrato de silicio. ^[42]

Led blanco y evolución [редактор]

El logro de una alta eficiencia en los ledes azules fue rápidamente seguido por el desarrollo del primer led blanco.En tal dispositivo un «fósforo» (флуоресцентный материал) de recubrimiento Y ₃ Al ₅ O ₁₂ : Ce (conocido como YAG o granate de itrio y aluminio) абсорбирует algo de la emisión azul y genera luz amarilla por fluorescencia . De forma подобный es posible introducir otros «fósforos» que generen luz verde o roja por fluorescencia. La mezcla resultante de rojo, verde y azul se percibe por el ojo humano como blanco; por otro lado, no sería posible apreciar los objetos de color rojo o verde iluminándolos con el fósforo YAG puesto que genera solo luz amarilla junto con un remanente de luz azul.

Los Primeros ledes blancos eran caros e ineficientes. Sin embargo, latensidad de la luz producida por los ledes se ha incrementado exponencialmente, con un tiempo de duplicación que ocurre aproximadamente cada 36 meses desde la década de los 1960 (de acuerdo con la ley de Moore). Esta tendencia se atribuye generalmente a un desarrollo paralelo de otras tecnologías de semiconductores y a los avances de la óptica y de la ciencia de los materiales, y se ha communido en llamar la ley de Haitz en honor a Roland Haitz. ^[43]

La emisión luminosa y la eficiencia de los ledes azul y ultravioleta cercano aumentaron a la vez que bajó el coste de los dispositivos de iluminación con ellos fabricados, lo que Condujo a la utilización de los ledes de luz blanca para iluminación. El hecho es que están sustituyendo a la iluminación incandescente y la fluorescente. ^{[44] [45]}

Los ledes blancos pueden producir 300 lúmenes por vatio eléctrico a la vez que pueden durar hasta 100 000 horas. Comparado con las bombillas de incandescencia esto supone no solo un incremento enorme de la eficiencia eléctrica sino también un gasto like o más bajo por cada bombilla. ^[46]

Principio de funcionamiento [редактор]

Una unión P-N puede proporcionar una corriente eléctrica al ser iluminada. Análogamente una unión P-N recorrida por una corriente directa puede emitir fotones luminosos. Son dos formas de considerar el fenómeno de la electroluminiscencia. En el segundo caso esta podría defined como la emisión de luz por un semiconductor, cuando is sometido a un campo eléctrico.Los portadores de carga se Recombinan en una unión P-N dispuesta en polarización directa. En concreto, los electronices de la región N cruzan la barrera de Potential y se рекомбинантный con los huecos de la región P. Los electronices libres se encuentran en la banda de Conducción mientras que los huecos están en la banda de valencia. De esta forma, el nivel de energía de los huecos es inferior al de los electronices. Все рекомбинантные лос-электроны и лос-huecos una fracción de la energía se emite en forma de calor y otra fracción en forma de luz.

El fenómeno físico que tiene lugar en una unión PN al paso de la corriente en polarización directa, por tanto, consiste en una sucesión de Recombinaciones electrón-hueco. El fenómeno de la Recombinación viene acompañado de la emisión de energía.En los diodos ordinarios de Germanio o de Silicio производит фононы или вибрации для кристаллической конструкции полупроводников, которые вносят, простое, и качественное средство. En el caso de los diodos led, los materiales semiconductores son diferentes de los anteriores tratándose, por ejemplo, de aleaciones varias del tipo III-V como son el arseniuro de galio (AsGa), el fosfuro de galio (PGa) o el fosfoarseniuro Галио (PAsGa).

En estos semiconductores, las Recombinaciones que se desarrollan en las uniones PN excluan el exceso de energía emitiendo fotones luminosos.El color de la luz emitida зависит от directamente de su longitud de onda y es característico de cada aleación concreta. В актуальном состоянии производятся световые эффекты, которые производят светящиеся изображения в соответствии с долготами и диапазоном усиления электромагнитного излучения, видимого, инфракрасного излучения и ультрафиолетового излучения. Lo que se consigue con estos materiales es modificar la anchura en energías de la banda prohibida, modificando así la longitud de onda del fotón emitido. Si el diodo led se polariza inversamente no se producirá el fenómeno de la Recombinación por lo que no emitirá luz.La polarización inversa puede llegar a dañar al diodo.

El comportamiento eléctrico del diodo led en polarización directa es como sigue. Si se va incrementando la tensión de polarización, partir de un cierto valor (зависимый от типа материала полупроводник), el led comienza a emitir fotones, se ha alcanzado la tensión de encendido. Los electronices se pueden desplazar a través de la unión al aplicar a los electrodos Diferentes Tensiones; Se inicia así la emisión de fotones y conforme se va incrementando la tensión de polarización, aumenta la интенсивность де луз испускания.Este aumento de tensidad luminosa viene emparejado al aumento de la tensidad de la corriente y puede стих disminuida por la рекомбинация Auger. Durante el processso de Recombinación, el electrón salta de la banda de Conducción a la de valencia emitiendo un fotón y accediendo, por conservación de la energía y momento, un nivel más bajo de energía, por debajo del nivel de material. El processso de emisión se llama Recombinación radiativa, que correde al fenómeno de la emisión espontánea.Así, en cada Recombinación radiativa electrón-hueco se emite un fotón de energía igual a la anchura en energías de la banda prohibida:

siendo c la velocidad de la luz yfy λ la frecuencia y la longitud de onda, respectivamente, de la luz que emite. Esta descripción del Fundmento de la emisión de radiación electromagnética por el diodo led se puede apreciar en la figura donde se hace una Representación esquemática de la unión PN del material semiconductor junto con el diagrama de energíóso de lmpación en el schemea de luxe, implicado en el diagrama de energías de luxe en el scheme , en la parte baja del dibujo.La longitud de onda de la luz emitida, y por lo tanto su color, depende de la anchura de la banda prohibida de energía. Los substratos más importantes disponibles для использования в эмиссии с использованием GaAs и InP. Los diodos led pueden disminuir su eficiencia si sus picos de Absorción y emisión espectral en función de su longitud de onda están muy próximos, como ocurre con los ledes de GaAs: Zn (arseniuro de galio dopado con zinc) ya que parte de la luuz Emiten la Absolute Internamente.

Los materiales utilizados para los ledes tienen una banda prohibida en polarización directa cuya anchura en energías varía desde la luz infrarroja, al visible o incluso al ultravioleta próximo. La evolución de los ledes comenzó con dispositivos infrarrojos y rojos de arseniuro de galio. Los avances de la ciencia de materiales han allowido fabricar dispositivos con longitude de onda cada vez más cortas, emitiendo luz en una ampia gama de colores. Los ledes se fabrican generalmente sobre un sustrato de tipo N, con un electrodo conectado a la capa de tipo P depositada en su superficie.Los sustratos de tipo P, aunque son menos comunes, también se fabrican.

Tecnología [редактор]

Fundamento físico [редактор]

Un led comienza a emitir cuando se le aplica una tensión de 2-3 voltios. En polarización inversa se utiliza un eje vertical differente al de la polarización directa para mostrar que la corriente Absortida es pácticamente constante con la tensión hasta que se produ la ruptura.

El led es un diodo formado por un chip semiconductor dopado con impurezas que crean una unión PN.Como en otros diodos, la corriente fluye fácilmente del lado p, o ánodo, al n, o cátodo, pero no en el sentido opuesto. Los portadores de carga (electronices yhuecos) fluyen a la unión desde dos electrodos puestos a unique voltajes. Cuando un electrón se Recombina con un hueco, desciende su nivel de energía y el exceso de energía se desprende en forma de un fotón. La longitud de onda de la luz emitida, y por tanto el color del led, depende de la anchura en energía de la banda prohibida correiente a los materiales que constituyen la unión pn.

En los diodos de silicio o de germanio los electronicses y los huecos se рекомбинантное происхождение una transición no radiativa, la cual no production ninguna emisión luminosa ya que son materiales semiconductores con una banda prohibida косвенно. Los materiales empleados en los ledes presentan una banda prohibida directa con una anchura en energía que correde al espectro luminoso del infrarrojo-cercano (800 нм — 2500 нм), в видимом и ультрафиолетовом свете (200-400 нм). El desarrollo de los ledes dio comienzo con dispositivos de luz roja e infrarroja, fabricados con arseniuro de galio (GaAs). Los avances en la ciencia de materiales han allowido construir dispositivos con longitude de onda cada vez más pequeñas, emitiendo luz dentro de una ampia gama de colores.

Los ledes se suelen fabricar a partir de un sustrato de tipo n, con uno de los electrodos unido a la capa de tipo p depositada sobre su superficie. Los sustratos de tipo p también se utilizan, aunque son menos comunes. Muchos ledes comerciales, en especial los de GaN / InGaN, utilizan también el zafiro (óxido de aluminio) como sustrato.

La mayoría de los materiales semiconductores usados ​​en la fabricación de los ledes presentan un índice de refracción muy alto. Это подразумевает, что мэрия луча излучает в внутреннем пространстве полупроводника, которое отражается на поверхностном покрытии, а также на внешнем покрытии, которое находится на контакте с воздухом по всему внутреннему пространству. La extracción de la luz constituye, por tanto, un aspecto muy importante y en constantevestigación y desarrollo a tomar en consideración en la producción de ledes.

ndice de refracción [редактор]

La mayoría de los materiales semiconductores usados ​​en la fabricación de los ledes presentan un índice de refracción muy elevado con уважение к воздуху. Это подразумевает, что мэрия луча излучает на внутреннем уровне полупроводника, и это отражается на поверхности, а также на внешнем покрытии, которое находится в контакте с воздухом по всему внутреннему пространству.

Este fenómeno afecta tanto a la eficiencia en la emisión luminosa de los ledes como a la eficiencia en la absoluteción de la luz de las células fotovoltaicas. El índice de refracción del silicio es 3,96 (590 нм), ^[47] mientras que el del del aire es 1 000 29 26. ^[47] La extracción de la luz constituye, por tanto, un aspecto muy importante y en constantevestigación y desarrollo a tomar en consideración en la producción de ledes.

В целом, микросхема полупроводникового светодиода с плоской поверхностью и направлением излучения перпендикулярно к поверхности полупроводника и используется в качестве прямого указателя поворота, формируется с помощью конуса, используемого в качестве источника сигнала, ^{[48] [48] [48] [48] . [49] Максимум угла инцидента, который позволяет избежать изображений полупроводников, находящихся в критическом состоянии. Cuando se sobrepasa este angulo, los fotones ya no se escapan del semiconductor pero en cambio son Refjados dentro del cristal del semiconductor como si existiese un espejo en la superficie external. [49]}

Debido a la reflexión interna, La luz que ha sido Reflexiada internamente en una cara puede escaparse a través de otras caras cristalinas si el ángulo de incidencia llega a ser ahora suficientementementementejon el cristalisiós para no transparent fotones hacia el интерьер.Sin embargo, en un simple led cúbico con superficies externas a 90 градусов, todas las caras actúan como espejos angulares iguales. En este caso, la mayor parte de la luz no puede escapar y se pierde en forma de calor dentro del cristal semiconductor. ^[49]

Un chip que presente en su superficie facetas anguladas similares a las de una joya tallada oa una lente fresnel puede aumentar la salida de la luz al permissionir su emisión en las orientaciones que sean perpendiculares a las facetas exterires queros numeric chip, las seis únicas de una muestra cúbica. ^[50]

Идеальная форма полупроводника для получения максимума салида-де-луц-серия-ла-де-уна микросфера с эмиссией изображений, находящихся в точном соответствии с центром мисмы, и дотада электродов, которые проникают в атмосферу emisión. Todos los rayos de luz que partieran del centro serían perpendiculares a la superficie de la esfera, lo que daría lugar a que no hubiera reflexiones internas. Полупроводниковые полупроводники функционируют правильно, если они отражают текущую часть плана, как правило, для отражения изображений, которые формируются в результате того, что они полностью испускают полусферы. ^[51]

Revestimientos de transición [editar]

Después de construir una oblea de material semiconductor, se corta en pequeños fragmentos. Cada fragmento se denomina chip y pasa a constituir la pequeña parte activa de un diodo led emisor de luz.

Muchos Chips Semiconductores LED se encapsulan or se include en el interior en carcasas de plástico moldeado. La carcasa de plástico pretende consguir tres propósitos:

1. Облегчение монтажа полупроводниковых микросхем в иллюминаторах.
2. Proteger de daños físicos al frágil cableado eléctrico asociado al diodo.
3. Актуар промежуточного элемента с эффектом преломления на возвышении полупроводников и воздуха.

La tercera característica contribuye a aumentar la emisión de luz desde el semiconductor actando como una lente diffusora, Разрешение на то, что морское излучение во внешнем конъюнктуре, с использованием процедуры обработки, соответствующей внешнему, muchore del est чип sin recubrir.

La eficiencia y los parámetros operacionales [редактор]

Los Ledes Están Disñados Para Funcionar Con Una Potencia Eléctrica no Superior 30-60 milivatios (мВт).В начале 1999 года Philips Lumileds представляет новые возможности для создания непрерывной формы и потенциала. Estos ledes utilizaban semiconductores de troquelados mucho más grandes con el fin de aceptar Potencias de alimentación mayores. Además, se montaban sobre varillas de metal для облегчения удаления калора.

Una de las Principales ventajas de las fuentes de iluminación a base de ledes es la alta eficiencia luminosa. Los ledes blancos igualaron enseguida e incluso superaron la eficiencia de los sistemas de iluminación incandescentes estándar.В 2002 году Lumileds fabricó ledes de cinco vatios, con una eficiencia luminosa de 18-22 lúmenes por vatio (лм / Вт). Режим сравнения, обычный световой поток с 60–100 яркостью, светится до 15 лм / Вт, а флуоресцентный светильник с максимальной яркостью 100 лм / Вт.

Партия 2012 года, Future Lighting Solutions, если вы хотите использовать эффективные решения для всех цветов. ^[52] Los valores de la eficiencia muestran la Potencia luminosa de salida por cada vatio de Potencia eléctrica de entrada.Los valores de la eficiencia luminosa include las características del ojo humano y se han deducido a partir de la función de luminosidad.

En septiembre de 2003, Cree Inc. fabricó un nuevo tipo de led azul que consumía 24 milivatios (mW) a 20 miliamperios (mA). Разрешение нового инкапсулированного света для светового луча с производительностью 65 лм / Вт и 20 миллиамперометров, удобное размещение на светлом фоне; además resultaba ser más de cuatro veces más eficiente que las bombillas incandescentes estándar. В 2006 году мы представляем прототип светодиода с ярким световым сигналом 131 лм / Вт для 20 ярких ламп. У Nichia Corporation есть светодиоды с эффективным светом 150 лм / Вт и прямым коромыслом 20 мА. ^[53] Los ledes de la empresa Cree Inc. denominados xlamp xm-L, salieron al mercado en 2011, производительность 100 лм / Вт с максимальной мощностью 10 Вт, с мощностью 160 лм / Вт с электрическим потенциалом. мощность излучения 2 Вт. В 2012 г. компания Cree Inc. представила светодиоды мощностью 254 лм / Вт, ^[54] и 303 лм / Вт в марте 2014 г. ^[55] Las necesidades de iluminación general en la práctica Requieren ledes de alta Potencia, de un vatio o más. Funcionan con corrientes superiores на 350 миллиампер.

Estas eficiencias se refieren a la luz emitida por el diodo mantenido a baja temperatura en el labratorio. Dado que los ledes, una vez instalados, operan a altas temperaturas y con pérdidas de divercción, la eficiencia en realidad es mucho menor. El Departamento de Energía de los Estados Unidos (DOE) ha realizado pruebas para sustituir las lámparas incandescentes o los LFC por las lámparas led, mostrando que la eficiencia media consguida es de unos 46 lm / W en 2009 (el comportamiento pruebaste lm / W en 2009 (el comportamiento pruebaste lm en un margen de 17 лм / Вт до 79 лм / Вт). ^[56]

Pérdida de eficiencia [editar]

Cuando la corriente eléctrica suministrada a un led sobrepasa unas decenas de miliamperios, disminuye la eficiencia luminosa a causa de u

Характеристики света

Уравнения Максвелла объединили исследования электромагнетизма и оптики. Свет — это относительно узкая полоса частот электромагнитных волн, к которым чувствительны наши глаза. На рисунке показан спектр видимого света .Длины волн обычно измеряются в нанометрах (1 нм = 10 ^-9 м) или в ангстремах (1Å = 10 ^-10 м). Цвета видимого спектра простираются от фиолетового с самой короткой длиной до красного с самой длинной волной.

Скорость света

Свет распространяется с такой высокой скоростью, 3 × 10 ⁸ м / сек, что исторически было трудно измерить. В конце 1600-х годов Клаус Ремер наблюдал различия в периодах спутников Юпитера, которые варьировались в зависимости от положения Земли. Он правильно предположил конечную скорость света. Он пришел к выводу, что годовая вариация связана с изменением расстояния между Юпитером и Землей; поэтому более длительный период указывал на то, что свету нужно было пройти дальше. Его оценка 2,1 × 10 ⁸ м / с, основанная на его значении радиуса земной орбиты, была неточной, но его теории были здравыми. Арман Физо первым измерил скорость света на поверхности Земли. В 1849 году он использовал вращающееся зубчатое колесо, чтобы найти близкое приближение скорости света, 3,15 × 10 ⁸ м / с. Как показано на рисунке, луч света прошел через колесо, отразился зеркалом на расстоянии ( d ) от него, а затем снова прошел через отверстие между зубьями.

Предположим, что скорость колеса отрегулирована так, что свет, проходящий через отверстие a , затем проходит через отверстие b после отражения. Если зубчатое колесо вращается с угловой скоростью ω и угол между двумя отверстиями равен θ, то время прохождения света 2 d равно

, поэтому скорость света можно рассчитать по

, где c обозначает скорость света. Более современные методы с использованием лазеров позволяют проводить измерения с точностью до девяти десятичных знаков.

Свет и другое электромагнитное излучение могут быть поляризованными, поскольку волны поперечные.Колебательное движение, перпендикулярное направлению движения волны, является отличительной чертой поперечных волн. Продольные волны, такие как звук, не могут быть поляризованы. Поляризованный свет имеет колебания, ограниченные одной плоскостью, перпендикулярной направлению движения. Луч света можно представить системой световых векторов. На рисунке 3 неполяризованный свет излучается лампочкой. Луч, идущий в верхнюю часть страницы, просматривается по направлению движения (как в конце). Векторы в луче, идущем в сторону страницы, видны перпендикулярно направлению движения (как вид сбоку).

LED Linear ™

Файлы cookie — это файлы с информацией, которая позволяет веб-серверу распознавать пользователя и сохранять настройки.Технические и функциональные файлы cookie необходимы для правильной работы этого веб-сайта. Кроме того, мы используем другие файлы cookie для анализа, оптимизации и маркетинга. Мы также передаем информацию об использовании вами нашего веб-сайта третьим лицам для рекламы и анализа. Далее вы можете выбрать, соглашаетесь ли вы на использование всех файлов cookie или только на использование файлов cookie, которые необходимы.

Здесь можно изменить настройки вашего согласия, нажав «Настройки».

Файлы cookie — это файлы с информацией, которая позволяет веб-серверу распознавать пользователя и сохранять настройки.Технические и функциональные файлы cookie необходимы для правильной работы этого веб-сайта. Кроме того, мы используем другие файлы cookie для анализа, оптимизации и маркетинга. Мы также передаем информацию об использовании вами нашего веб-сайта третьим лицам для рекламы и анализа. Далее вы можете выбрать, соглашаетесь ли вы на использование всех файлов cookie или только на использование файлов cookie, которые необходимы.

Здесь можно изменить настройки вашего согласия, нажав «Настройки».

— это небольшие текстовые файлы, которые используются веб-сайтами для формирования пользовательского опыта. Количество файлов cookie увеличивается, поскольку они относятся к основным функциям веб-сайта. Вы должны дать согласие на активацию постоянных файлов cookie. Вы можете получить свое согласие в любое время в нашей информации о защите данных на странице https://www.ledlinearusa.com/data-privacy/ «Использование файлов cookie».

Каковы характеристики хорошего лидера?

Лидеры формируют наши страны, сообщества и организации.

Нам нужны хорошие лидеры, которые помогут направлять нас и принимать важные крупномасштабные решения, которые поддерживают движение мира.

Наше общество обычно быстро определяет плохого лидера, но знаем ли мы, как определить хорошего? Что, по мнению большинства, делает лидером хорошим?

Характеристики и качества хорошего лидера

На основе нашего исследования мы обнаружили, что великие лидеры неизменно обладают следующими 10 основными лидерскими качествами:

• Целостность
• Возможность делегировать
• Связь
• Самосознание
• Благодарность
• обучаемость
• Влияние
• сочувствие
• Мужество
• респект

Целостность

Важность честности должна быть очевидна.Хотя это не обязательно может быть метрикой при оценке сотрудников, честность важна как для человека, так и для организации. Это особенно важно для руководителей высшего звена, которые определяют курс организации и принимают бесчисленное множество других важных решений. Наши исследования показывают, что честность на самом деле может быть потенциальным слепым пятном для организаций. Убедитесь, что ваша организация подчеркивает важность добросовестности для руководителей на разных уровнях.

Возможность делегировать

Делегирование — одна из основных обязанностей лидера, но эффективное делегирование может оказаться сложной задачей.Цель состоит не только в том, чтобы освободить себя, но и в том, чтобы дать возможность вашим непосредственным подчиненным, облегчить командную работу, обеспечить автономию, привести к более эффективному принятию решений и помочь вашим непосредственным подчиненным расти. Чтобы правильно делегировать полномочия, вам также необходимо завоевать доверие своей команды.

Связь

Эффективное руководство и эффективная коммуникация переплетаются. Вы должны уметь общаться разными способами, от передачи информации до обучения своих людей. И вы должны уметь слушать и общаться с широким кругом людей, независимо от ролей, социальной идентичности и многого другого.Качество и эффективность коммуникации в вашей организации также напрямую влияют на успех вашей бизнес-стратегии. Узнайте, как более качественное общение может улучшить вашу организационную культуру.

Самосознание

Хотя это навык, ориентированный на внутреннюю сторону, самосознание имеет первостепенное значение для лидерства. Чем лучше вы понимаете себя, тем эффективнее можете быть. Вы знаете, как к вам относятся другие или как вы проявляете себя на работе? Найдите время, чтобы узнать о 4 аспектах самосознания и о том, как можно углубиться в каждый компонент.

Почти 60% непосредственных менеджеров никогда не проходят обучение для своей первой руководящей роли. Наша онлайн-программа Frontline Leader Impact развивает 6 основных лидерских навыков, необходимых для достижения успеха, всего за 30 минут в день в течение 6 недель.

• 90% участников сочли Frontline Leader Impact простым для доступа и навигации
• 99% участников отметили, что курс положительно повлиял на их лидерские навыки

Узнайте больше о нашей виртуальной программе Frontline Leader Impact уже сегодня.

Благодарность

Благодарность может сделать вас лучшим лидером. Благодарность может привести к повышению самооценки, уменьшению депрессии и беспокойства и даже к лучшему сну. Немногие люди регулярно говорят «спасибо» на работе, хотя большинство людей говорят, что были бы готовы больше работать для благодарного начальника. Узнайте, как благодарить, и практикуйте больше благодарности на рабочем месте.

Способность к обучению

Способность к обучению — это способность знать, что делать, когда вы не знаете, что делать.Если вы «быстро учитесь» или умеете преуспевать в незнакомых обстоятельствах, возможно, вы уже учитесь Agile. Но любой может развить способность к обучению с помощью практики, опыта и усилий. Узнайте, насколько великие лидеры хорошо учатся и обладают высокой способностью к обучению, чтобы начать работу.

Влияние

Для некоторых людей «влияние» кажется ругательством. Но способность убеждать людей с помощью логических, эмоциональных или совместных призывов является одним из компонентов того, чтобы быть вдохновляющим и эффективным лидером.Влияние сильно отличается от манипуляции, и оно должно осуществляться достоверно и прозрачно. Это требует эмоционального интеллекта и доверия. Узнайте, как 4 ключа к влиянию на других.

Эмпатия

Сочувствие коррелирует с производительностью труда и является важной частью эмоционального интеллекта и эффективности руководства. Если вы проявляете больше сочувствия к своим подчиненным, наши исследования показывают, что ваш начальник с большей вероятностью будет рассматривать вас как лучшего сотрудника.Сочувствию можно научиться, и оно не только сделает вас более эффективным, но и улучшит работу для вас и окружающих.

Мужество

На работе может быть трудно высказаться, хотите ли вы озвучить новую идею, предоставить отзыв непосредственному подчиненному или указать на проблему, связанную с кем-то выше вас. Это одна из причин, по которой смелость является ключевым навыком для хороших лидеров. Вместо того, чтобы избегать проблем или позволять конфликтам разгораться, смелость позволяет лидерам действовать и двигаться в правильном направлении.Культура психологически безопасного рабочего места побуждает говорить правду.

Респект

Ежедневное уважение к людям — одно из важнейших дел, которые может сделать лидер. Это ослабит напряженность и конфликты, создаст доверие и повысит эффективность. Уважение — это больше, чем просто отсутствие неуважения, и его можно проявлять разными способами. Узнайте, как можно создать атмосферу уважения на работе.

Собираем все вместе: характеристики хорошего лидера

Хотя успешные лидеры могут проявлять эти 10 лидерских навыков в разной степени, все хорошие лидеры используют по крайней мере некоторые — или большинство — из этих характеристик.Вместе они составляют основу лидерства на всех уровнях, в отраслях и на разных континентах. Без этих навыков невозможно настоящее лидерство.

Если вы не чувствуете, что эти характеристики хорошего лидера адекватно вас описывают, не паникуйте — у вас есть способы улучшить свои лидерские способности, включая все 10 основных навыков. В CCL мы считаем, что лидерство — это навык, который можно развить, и что лидеры формируются на основе опыта, непрерывного обучения и адаптации.

Другими словами, вы можете усилить любую из этих 10 характеристик и качеств хорошего лидера, если вы открыты для роста и вкладываете время и усилия в самосовершенствование. Точно так же организации могут помочь своим сотрудникам отточить эти навыки с помощью тренингов по развитию лидерских качеств и практического опыта.

Также важно понимать, что лидерство — это социальный процесс. Если вы демонстрируете несколько характеристик хорошего лидера, но не понимаете этого, скорее всего, вы сами далеко не продвинетесь.Вас могут любить и уважать, но будет сложно достичь командных или организационных целей.

Кроме того, лидерство — это не пункт назначения — это то, над чем вам придется регулярно работать на протяжении всей карьеры, независимо от того, какого уровня вы достигли в своей организации.

Лидерство — это не столько сильный или харизматичный человек, сколько группа людей, работающих вместе для достижения результатов. Вот почему мы говорим, что лидерство — это путешествие: разные команды, проекты, ситуации и организации потребуют от вас применения этих навыков по-разному.

Развивайте качества хорошего лидера

Организации могут укрепить лидерские качества и способствовать более глубокому вовлечению в работу, предоставляя различные возможности для развития, начиная от обучения и наставничества на рабочем месте до более формального виртуального коучинга руководителей или программ развития лидерских качеств.